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NJVNJD35N04T4G
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NJVNJD35N04T4G Spécifications techniques
NJVNJD35N04T4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 22 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -65°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 45W |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Halogen Free | Halogen Free |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Max Collector Current | 4A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50μA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 350V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 700V |
hFE Min | 2000 |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Base Part Number | NJD35N04 |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 45W |
Gain Bandwidth Product | 90MHz |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 350V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 2A 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 20mA, 2A |
Transition Frequency | 90MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Continuous Collector Current | 4A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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