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NSBA113EDXV6T1
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NSBA113EDXV6T1 Spécifications techniques
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Voltage - Rated DC | -50V |
Terminal Form | FLAT |
Current Rating | -100mA |
Base Part Number | NSBA1* |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 500mW |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 1k Ω |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2005 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 500mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 6 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1k Ω |
Lead Free | Contains Lead |
NSBA113EDXV6T1 Documents
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Feuilles de données
D'autres incluent "NSBA1" les pièces
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSBA113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2561 |
NSBA113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de transistors BJT | |
NSBA113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2743 |
NSBA113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBA113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2635 |
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
NSBA114EDP6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 6222 |
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBA114EDXV6T1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 5048 |
NSBA114EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2618 |
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