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NSBC115EDXV6T1G
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NSBC115EDXV6T1G Spécifications techniques
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 500mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 6 |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 357mW |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100k Ω |
Length | 1.7mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Number of Pins | 6 |
Published | 2010 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Voltage - Rated DC | 50V |
Terminal Form | FLAT |
Current Rating | 100mA |
Base Part Number | NSBC1* |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
Collector Emitter Saturation Voltage | 250mV |
hFE Min | 80 |
Continuous Collector Current | 100mA |
Height | 600μm |
Width | 1.3mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NSBC115EDXV6T1G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSBC113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2623 |
NSBC113EDXV6T1 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBC113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de transistors BJT | |
NSBC113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2611 |
NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBC113EDXV6T5 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2510 |
NSBC113EDXV6T5 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBC113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2570 |
NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
NSBC113EPDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2569 |
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