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NSBC124EDXV6T1 Spécifications techniques

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Published 2006
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 500mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Current Rating 100mA
Base Part Number NSBC1*
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 22k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code unknown
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Power Dissipation 357mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
hFE Min 60
Continuous Collector Current 100mA
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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