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NSBC124XF3T5G Spécifications techniques
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin SOT-1123 T/R
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-1123 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signals |
Terminal Position | DUAL |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 22 k Ω |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 2.14 |
Max Power Dissipation | 254mW |
Terminal Form | FLAT |
Number of Elements | 1 |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NSBC124XF3T5G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSBC113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2623 |
NSBC113EDXV6T1 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBC113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de transistors BJT | |
NSBC113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2611 |
NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBC113EDXV6T5 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2510 |
NSBC113EDXV6T5 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBC113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2570 |
NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
NSBC113EPDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2569 |
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