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NSM11156DW6T1G Spécifications techniques

TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
HTS Code 8541.21.00.95
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 6
Number of Elements 2
Power - Max 230mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA 10V / 220 @ 2mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V 65V
Resistor - Emitter Base (R2) 10k Ω
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor Element Material SILICON
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1.0
Max Power Dissipation 230mW
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 65V
Resistor - Base (R1) 10k Ω
RoHS Status RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
NSM11156DW6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés 2518
NSM11156DW6T1G Rochester Electronics, LLC Arrays de transistors BJT

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