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NSM4002MR6T1G Spécifications techniques
ON SEMICONDUCTOR NSM4002MR6T1GBipolar Transistor Array, Dual NPN, 45 V, 500 W, 500 mA, 40, SC-74
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2012 |
Part Status | Active |
Max Power Dissipation | 500mW |
Element Configuration | Dual |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Max Collector Current | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 45V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA 500mA |
Max Breakdown Voltage | 45V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 50V |
Continuous Collector Current | 500mA |
Length | 3.1mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Polarity | NPN |
Gain Bandwidth Product | 100MHz |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 45V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA 1V / 250 @ 100mA 1V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA / 700mV @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V 45V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 700mV |
Frequency - Transition | 300MHz 100MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Height | 1mm |
Width | 1.7mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
NSM4002MR6T1G Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSM4002MR6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 2597 |
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