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NSS40300MDR2G Spécifications techniques

Bipolar Transistors - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 783mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 8
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Gain Bandwidth Product 100MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 1A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Collector Emitter Saturation Voltage -170mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
Height 1.5mm
Width 4mm
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Polarity PNP
Power - Max 653mW
Halogen Free Halogen Free
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Transition Frequency 100MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
Turn Off Time-Max (toff) 530ns
Length 5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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