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NST3906DP6T5G Spécifications techniques
TRANSISTOR PNP DUAL GP SOT-963
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 280mW |
Frequency | 250MHz |
Pin Count | 6 |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 280mW |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Max Collector Current | 200mA |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Transition Frequency | 250MHz |
Max Breakdown Voltage | 40V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Turn Off Time-Max (toff) | 300ns |
Height | 400μm |
Width | 850μm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Package / Case | SOT-963 |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Form | FLAT |
Base Part Number | NST3906D |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Power - Max | 350mW |
Gain Bandwidth Product | 250MHz |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 40V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA 1V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 40V |
Collector Emitter Saturation Voltage | -400mV |
Collector Base Voltage (VCBO) | 40V |
hFE Min | 60 |
Turn On Time-Max (ton) | 70ns |
Length | 1.05mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NST3906DP6T5G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NST3904DP6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 3536 |
NST3904DP6T5G | ON Semiconductor | Tableaux BJT Transistors | |
NST3904DXV6T1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 5290 |
NST3904DXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de transistors BJT | |
NST3904DXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 5392 |
NST3904DXV6T1G | ON Semiconductor | Tableaux BJT Transistors | |
NST3904DXV6T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 3702 |
NST3904DXV6T5 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 7000 |
NST3904DXV6T5 | ON Semiconductor | Tableaux BJT Transistors | |
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