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NSVB114YPDXV6T1G Spécifications techniques

TRANS BRT 50V 100MA SOT563

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form FLAT
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2014
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7
Max Power Dissipation 500mW
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 2
Power - Max 500mW
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Resistor - Base (R1) 10k Ω
RoHS Status RoHS Compliant
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