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NSVBAS21AHT1G Spécifications techniques
NSVBAS21AHT1G datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Redresseur à Diode Monophasé |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SC-76, SOD-323 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | GULL WING |
Operating Temperature (Max) | 150°C |
Configuration | SINGLE |
Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 40nA @ 200V |
Forward Current | 200mA |
Output Current-Max | 0.2A |
Max Reverse Voltage (DC) | 250V |
Reverse Recovery Time | 50 ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Diode Element Material | SILICON |
Published | 2007 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Position | DUAL |
JESD-30 Code | R-PDSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 0.2W |
Diode Type | Standard |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Operating Temperature - Junction | -55°C~150°C |
Current - Average Rectified (Io) | 200mA DC |
Average Rectified Current | 200mA |
Capacitance @ Vr, F | 5pF @ 0V 1MHz |
Lead Free | Lead Free |
NSVBAS21AHT1G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSVBA114EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2796 |
NSVBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSVBA114YDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 24400 |
NSVBA114YDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSVBA143ZDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 40314 |
NSVBA143ZDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSVBAS116LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Simple | 2713 |
NSVBAS16TT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Simple | 2751 |
NSVBAS16TT1G | ON Semiconductor | Redresseur à Diode Monophasé | |
NSVBAS16WT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Simple | 2569 |
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