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NSVBT2222ADW1T1G
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NSVBT2222ADW1T1G Spécifications techniques
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | GULL WING |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
Halogen Free | Halogen Free |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Max Collector Current | 600mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 40V |
Frequency - Transition | 300MHz |
Turn Off Time-Max (toff) | 285ns |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2009 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 150mW |
Pin Count | 6 |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 150mW |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Transition Frequency | 300MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 75V |
Turn On Time-Max (ton) | 35ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSVBT2222ADW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 2573 |
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