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NSVDTA114YM3T5G
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NSVDTA114YM3T5G Spécifications techniques
TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-723 |
Published | 2009 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Power - Max | 260mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 10 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Part Status | Active |
Max Power Dissipation | 260mW |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 k Ω |
Lead Free | Lead Free |
NSVDTA114YM3T5G Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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NSVDTA114EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2747 |
NSVDTA114EM3T5G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
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