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NSVMMBT3906TT1G
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NSVMMBT3906TT1G Spécifications techniques
NSVMMBT3906TT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Max Power Dissipation | 200mW |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 200mW |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 400mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA 1V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 40V |
Frequency - Transition | 250MHz |
Turn On Time-Max (ton) | 70ns |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Configuration | SINGLE |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 200mA |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Transition Frequency | 250MHz |
Turn Off Time-Max (toff) | 300ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NSVMMBT3906TT1G Documents
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Feuilles de données
D'autres incluent "NSVMM" les pièces
Les pièces suivantes comprennent 'NSVMM'
Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSVMMBD352WT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2717 |
NSVMMBD352WT1G | ON Semiconductor | Réseau de diodes redresseuses | |
NSVMMBD353LT1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 3287 |
NSVMMBD353LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2620 |
NSVMMBD353LT1G | ON Semiconductor | Réseau de diodes redresseuses | |
NSVMMBD354LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - RF | 2588 |
NSVMMBD354LT1G | ON Semiconductor | Diodes RF | |
NSVMMBD717LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2773 |
NSVMMBD717LT1G | ON Semiconductor | Réseau de diodes redresseuses | |
NSVMMBT2222AM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2683 |
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