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NSVMMUN2237LT1G
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NSVMMUN2237LT1G Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Power - Max | 246mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 47 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Max Power Dissipation | 246mW |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 k Ω |
Lead Free | Lead Free |
NSVMMUN2237LT1G Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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NSVMMBD353LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2620 |
NSVMMBD353LT1G | ON Semiconductor | Réseau de diodes redresseuses | |
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NSVMMBD354LT1G | ON Semiconductor | Diodes RF | |
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