NTA4001NT1G Spécifications techniques

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case SC-75, SOT-416
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 300mW Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 238mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 238mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 10V
Nominal Vgs 1 V
Height 800μm
Width 900μm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 1.5Ohm
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Position DUAL
Current Rating 238mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ω @ 10mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V
Rise Time 15ns
Vgs (Max) ±10V
Turn-Off Delay Time 98 ns
Threshold Voltage 1V
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Feedback Cap-Max (Crss) 6 pF
Length 1.6256mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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