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NTB18N06T4 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2005
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
HTS Code 8541.29.00.95
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 48.4W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90m Ω @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 13 ns
Continuous Drain Current (ID) 15A
Drain-source On Resistance-Max 0.09Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 45A
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Lead (Sn80Pb20)
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 15A
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 48.4W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A Tc
Rise Time 25ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Avalanche Energy Rating (Eas) 61 mJ
Lead Free Contains Lead
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