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NTB6413ANG Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Resistance 28MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 136W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A Tc
Rise Time 84ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 71 ns
Continuous Drain Current (ID) 42A
Avalanche Energy Rating (Eas) 200 mJ
Height 4.83mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 136W
Turn On Delay Time 13 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28m Ω @ 42A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.29mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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