NTB75N06G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 214W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5m Ω @ 37.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4510pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 100 ns
Continuous Drain Current (ID) 75A
Drain-source On Resistance-Max 0.0095Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 225A
Nominal Vgs 2.8 V
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 75A
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 2.4W Ta 214W Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A Ta
Rise Time 112ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Avalanche Energy Rating (Eas) 844 mJ
REACH SVHC No SVHC
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