NTD20P06LG Spécifications techniques

NTD20P06LG datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -60V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -15.5A
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 65W
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15.5A Ta
Rise Time 90ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V
Fall Time (Typ) 70 ns
Continuous Drain Current (ID) 15.5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 50A
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Resistance 130MOhm
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 65W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150m Ω @ 7.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 28 ns
Threshold Voltage -1.5V
Drain to Source Breakdown Voltage -60V
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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