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NTD3055-150T4 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 28.8W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150m Ω @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 23 ns
Continuous Drain Current (ID) 9A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Avalanche Energy Rating (Eas) 30 mJ
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 9A
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 1.5W Ta 28.8W Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A Ta
Rise Time 37.1ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 12.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.15Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 27A
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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