NTD30N02G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 24V 30A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 75W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 17 ns
Continuous Drain Current (ID) 30A
Drain-source On Resistance-Max 0.0145Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 100A
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
HTS Code 8541.29.00.95
Voltage - Rated DC 24V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 30A
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 75W Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A Ta
Rise Time 115ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 24V
Avalanche Energy Rating (Eas) 50 mJ
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