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NTD4856NT4G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 25V 13.3A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 1.33W Ta 60W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.3A Ta 89A Tc
Rise Time 22.5ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 27.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0068Ohm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.14W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2241pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 7.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 16.8A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 89A
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
RoHS Status RoHS Compliant
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