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NTD4857N-1G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 25V 12A IPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 4
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 1.31W Ta 56.6W Tc
Power Dissipation 2.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1960pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 3.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 14.6A
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Pin Count 4
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Ta 78A Tc
Rise Time 18.7ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
RoHS Status RoHS Compliant
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