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NTD4857NT4G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 25V 12A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.1W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1960pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 3.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 14.6A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 78A
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 1.31W Ta 56.6W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Ta 78A Tc
Rise Time 18.7ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.008Ohm
RoHS Status RoHS Compliant
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