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NTD4858N-35G Spécifications techniques

MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1563pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.2nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 2.8 ns
Continuous Drain Current (ID) 13.6A
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 1.3W Ta 54.5W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.2A Ta 73A Tc
Rise Time 17.3ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 23.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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