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NTD4863NAT4G Spécifications techniques
MOSFET N-CH 25V 9.2A DPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Pin Count | 4 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 1.95W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3m Ω @ 30A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 990pF @ 12V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 4.5V |
Fall Time (Typ) | 16.5 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 11.3A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 9.2A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 98A |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 1.27W Ta 36.6W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A Ta 49A Tc |
Rise Time | 16.5ns |
Turn-Off Delay Time | 20.2 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 25V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 60.5 mJ |
RoHS Status | RoHS Compliant |
NTD4863NAT4G Documents
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Feuilles de données
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