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NTD4863NT4G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 25V 9.2A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.95W
Turn On Delay Time 11.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A Ta 49A Tc
Rise Time 16.5ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 20.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Avalanche Energy Rating (Eas) 60.5 mJ
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 1.27W Ta 36.6W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 990pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 16.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 11.3A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9.2A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 98A
Height 2.38mm
Width 6.22mm
RoHS Status RoHS Compliant
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