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NTD4910NT4G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 37A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 1.37W Ta 27.3W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 11.6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.2A Ta 37A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 37A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 8.2A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 152A
Avalanche Energy Rating (Eas) 25.3 mJ
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1203pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.4nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Turn-Off Delay Time 16.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.013Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
RoHS Status RoHS Compliant
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