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NTD5862N-1G Spécifications techniques
MOSFET NFET IPAK 60V 102A 6MOHM
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 22 hours ago) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Pin Count | 4 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 115W |
Turn On Delay Time | 18 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7m Ω @ 45A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 60 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 98A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 90A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 205 mJ |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | NO |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | THROUGH-HOLE |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
Power Dissipation-Max | 115W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 98A Tc |
Rise Time | 70ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 35 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0057Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 335A |
Height | 2.38mm |
Width | 6.22mm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
NTD5862N-1G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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NTD5802NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 395 |
NTD5802NT4G | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
NTD5803N | ON | Circuits intégrés spécialisés | 23263 |
NTD5803NG | ON | Circuits intégrés spécialisés | 2637 |
NTD5803NG MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 430 |
NTD5803NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 462 |
NTD5803NT4G | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
NTD5803NT4G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 371 |
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