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NTD5867NLT4G Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 36W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A Tc
Rise Time 12.6ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 18.2 ns
Threshold Voltage 1.8V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Nominal Vgs 1.8 V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 39MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 36W
Turn On Delay Time 6.5 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 675pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 2.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 20A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 76A
Turn Off Time-Max (toff) 20.6ns
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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