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NTD6415ANT4G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 83W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A Tc
Rise Time 37ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 37 ns
Continuous Drain Current (ID) 23A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 79 mJ
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Resistance 55MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 83W
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55m Ω @ 23A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 30 ns
Threshold Voltage 4V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 89A
Nominal Vgs 4 V
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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