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NTD6416AN-1G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 17A IPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Power Dissipation-Max 71W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A Tc
Rise Time 22ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 62A
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Resistance 81MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 71W
Turn On Delay Time 9.2 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 81m Ω @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 17A
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Height 7.62mm
Width 2.38mm
RoHS Status RoHS Compliant
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