NTD70N03RT4G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 25V 10A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 25V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 70A
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 1.36W Ta 62.5W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A Ta 32A Tc
Rise Time 1.3ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 18.4 ns
Threshold Voltage 1.5V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 32A
Avalanche Energy Rating (Eas) 71.7 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Resistance 5.6MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.87W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1333pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 1.3 ns
Continuous Drain Current (ID) 75A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
REACH SVHC Unknown
Lead Free Lead Free
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