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NTD85N02R-001 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 24V 12A IPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Tim[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 1.25W Ta 78.1W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Ta 85A Tc
Rise Time 77ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 24V
Avalanche Energy Rating (Eas) 85 mJ
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Voltage - Rated DC 24V
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 85A
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.4W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.7nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 85A
Drain-source On Resistance-Max 0.0052Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 192A
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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