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NTDV3055L104T4G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 1.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104m Ω @ 6A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V
Fall Time (Typ) 80 ns
Continuous Drain Current (ID) 12A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 48W
Turn On Delay Time 9.2 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Ta
Rise Time 210ns
Vgs (Max) ±15V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 15V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 45A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
NTDV3055L104-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Simple 2628
NTDV3055L104T4G ON Circuits intégrés spécialisés 2990
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