NTGD4167CT1G Spécifications techniques

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 90MOhm
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Pin Count 6
Element Configuration Dual
Power Dissipation 1.1W
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90m Ω @ 2.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 22 ns
Threshold Voltage 900mV
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
Length 3.1mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 900mW
Base Part Number NTGD4167C
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A 1.9A
Rise Time 8ns
Fall Time (Typ) 8 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1mm
Width 1.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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