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NTGS3130NT1G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-TSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.1W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24m Ω @ 5.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 935pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.3nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 7.3 ns
Continuous Drain Current (ID) 5.6A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4.2A
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Length 3.1mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case SOT-23-6
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Power Dissipation-Max 600mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 6.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.23A Ta
Rise Time 7.3ns
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 21.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 0.024Ohm
Height 1mm
Width 1.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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