NTHC5513T1 Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.1W
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 3.1A
Base Part Number NTHC5513
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Dual
Power Dissipation 1.1W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A 2.2A
Rise Time 13ns
Turn-Off Delay Time 33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Form C BEND
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80m Ω @ 2.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Continuous Drain Current (ID) 2.2A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.1A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 10A
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Contains Lead
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