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NTHD4401PT3 Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 1.1W
Current Rating -3A
Pin Count 8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation 1.1W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Fall Time (Typ) 13 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.1A
Drain-source On Resistance-Max 0.155Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 50 pF
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Form C BEND
Base Part Number NTHD4401P
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155m Ω @ 2.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V
Rise Time 13ns
Turn-Off Delay Time 33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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