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NTHD4N02FT1G Spécifications techniques
MOSFET 20V 3.9A N-Channel w/3.7A Schottky
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 11 hours ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | C BEND |
Current Rating | 2.7A |
Pin Count | 8 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 910mW Tj |
Power Dissipation | 910mW |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A Tj |
Rise Time | 9ns |
Vgs (Max) | ±12V |
Turn-Off Delay Time | 10 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 12V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 20V |
Feedback Cap-Max (Crss) | 50 pF |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 8 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 20V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80m Ω @ 2.9A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 2.5V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 9 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 3.9A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 2.9A |
FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
RoHS Status | RoHS Compliant |
NTHD4N02FT1G Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NTHD40102PT1G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 3500 |
NTHD4102PT1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 13722 |
NTHD4102PT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 5433 |
NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTHD4102PT1G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 3400 |
NTHD4102PT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2750 |
NTHD4102PT3G | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
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