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NTHD4P02FT1G Spécifications techniques
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | -20V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 1.1W Tj |
Power Dissipation | 1.1W |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155m Ω @ 2.2A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Vgs (Max) | ±12V |
Turn-Off Delay Time | 33 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 12V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 9A |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2004 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Resistance | 130MOhm |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | C BEND |
Current Rating | -3A |
Pin Count | 8 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 7 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A Tj |
Rise Time | 13ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 2.5V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 13 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -2.2A |
Drain to Source Breakdown Voltage | -20V |
FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NTHD4P02FT1G Documents
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Feuilles de données
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