NTHD5905T1 Spécifications techniques

Trans MOSFET P-CH 8V 3A 8-Pin Chip FET T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.1W
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Current Rating -3A
Pin Count 8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250μA
Rise Time 45ns
Continuous Drain Current (ID) 3A
Drain-source On Resistance-Max 0.09Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2003
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Voltage - Rated DC -8V
Terminal Form C BEND
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90m Ω @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3A
DS Breakdown Voltage-Min 8V
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Contains Lead
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