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NTHS4166NT1G Spécifications techniques

MOSFET CHPFT SNGL 30V 8.2A NFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form C BEND
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 800mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.9A Ta
Rise Time 11ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.022Ohm
Height 1.1mm
Width 1.7mm
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 8
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22m Ω @ 4.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) 6.6A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4.9A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Length 3.1mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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