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NTJD2152PT1G Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 20 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 270mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300m Ω @ 570mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 8V
Rise Time 23ns
Turn-Off Delay Time 50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 0.3Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 40 pF
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -8V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -775mA
Base Part Number NTJD2152P
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Dual
Power Dissipation 270mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Fall Time (Typ) 23 ns
Continuous Drain Current (ID) 775mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.775A
Drain to Source Breakdown Voltage -8V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status RoHS Compliant
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