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NTJD4105CT2 Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.95
Max Power Dissipation 270mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 630mA
Base Part Number NTJD4105C
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Dual
Power Dissipation 270mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 630mA 775mA
Rise Time 23ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 0.375Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 6
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375m Ω @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 8V
Fall Time (Typ) 36 ns
Continuous Drain Current (ID) 775mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 1.1A
Drain to Source Breakdown Voltage -8V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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