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NTJD4158CT1G Spécifications techniques
NTJD4158CT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Resistance | 1.5Ohm |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 250mA |
Base Part Number | NTJD4158C |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 15 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA 880mA |
Rise Time | 6.5ns |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Turn-Off Delay Time | 13.5 ns |
Threshold Voltage | 1.2V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -20V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Length | 2.2mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 270mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 6 |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 270mW |
FET Type | N and P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ω @ 10mA, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 33pF @ 5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V 20V |
Fall Time (Typ) | 3.5 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 880mA |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 12V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Height | 1mm |
Width | 1.35mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
NTJD4158CT1G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NTJD4001NT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2719 |
NTJD4001NT1 | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTJD4001NT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 60423 |
NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTJD4001NT1G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 3437 |
NTJD4001NT2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 15868 |
NTJD4001NT2G | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTJD4105C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 18415 |
NTJD4105CT1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 723 |
NTJD4105CT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 1493 |
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