NTJD4158CT1G Spécifications techniques

NTJD4158CT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 1.5Ohm
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Current Rating 250mA
Base Part Number NTJD4158C
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA 880mA
Rise Time 6.5ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 13.5 ns
Threshold Voltage 1.2V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
FET Feature Logic Level Gate
Length 2.2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 270mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Element Configuration Dual
Power Dissipation 270mW
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ω @ 10mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 20V
Fall Time (Typ) 3.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 880mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1mm
Width 1.35mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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