NTJD4401NT1 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 6
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375m Ω @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V
Rise Time 227ns
Turn-Off Delay Time 786 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Lead (Sn80Pb20)
Subcategory FET General Purpose Power
Max Power Dissipation 270mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 630mA
Base Part Number NTJD4401N
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Dual
Power Dissipation 270mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Fall Time (Typ) 227 ns
Continuous Drain Current (ID) 630mA
Drain-source On Resistance-Max 0.375Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
Lead Free Contains Lead
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