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NTLGD3502NT2G Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 1.74W |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 6 |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 1.74W |
Turn On Delay Time | 7 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60m Ω @ 4.3A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Fall Time (Typ) | 17.5 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 5.8A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 4.3A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 17.2A |
FET Feature | Logic Level Gate |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | LIFETIME (Last Updated: 1 day ago) |
Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Resistance | 60MOhm |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Base Part Number | NTLGD3502N |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A 3.6A |
Rise Time | 17.5ns |
Turn-Off Delay Time | 8.6 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 20V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NTLGD3502NT2G Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NTLGD3502NT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2793 |
NTLGD3502NT1G | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTLGD3502NT1G | Rochester Electronics, LLC | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTLGD3502NT2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 4794 |
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