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NTLJD3115PT1G Spécifications techniques
NTLJD3115PT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 9 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Voltage - Rated DC | -20V |
Terminal Form | C BEND |
Current Rating | -4.1A |
Base Part Number | NTLJD3115P |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100m Ω @ 2A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 531pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
Fall Time (Typ) | 15 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 3.3A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 20V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Length | 2mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Resistance | 100MOhm |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 710mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 6 |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 1.5W |
Turn On Delay Time | 6 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A |
Rise Time | 15ns |
Turn-Off Delay Time | 19.8 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Height | 750μm |
Width | 2mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NTLJD3115PT1G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NTLJD2104PTAG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2694 |
NTLJD2104PTAG | Rochester Electronics, LLC | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTLJD2104PTAG | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTLJD2104PTBG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2676 |
NTLJD2104PTBG | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTLJD2104PTBG | Rochester Electronics, LLC | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTLJD2105LTBG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 3486 |
NTLJD2105LTBG | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTLJD2105LTBG | Rochester Electronics, LLC | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTLJD3115PT | ON | Circuits intégrés spécialisés | 759 |
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